随着技术的进步，集成电路制造所使用的工艺步骤显著增加。比如说，对于65 nm技术节点，需要大约600步的工艺步骤，而对于14 nm技术节点，至少需要2000步工艺步骤。在半导体生产制造的各个工艺环节，都有可能造成最终全彩LED显示屏产品性能的降低或者失效。良率提升的工作就是找出造成产品失效的环节，提出失效模型，解决工艺难题，提升产品的最终良率。从产品研发到实现量产的整个周期内，整个周期的时间跨度可能达数个季度，在每个阶段都需要对良率进行不断的改善，各阶段的良率表现如图7所示。在产品设计及工艺研发阶段，主要通过器件及工艺流程的建立和优化提升产品良率。在全彩LED显示屏良率提升阶段，通过找出并解决工艺中的系统性失效问题，解决全彩LED显示屏工艺问题引起的随机性缺陷提升良率。在量产阶段，新产品的导入和生产制程的在线管控是重点。在新产品的导入时，需要确定工艺的最优条件，设计对工艺的交叉弱点的检测，以便及时发现工艺异常并作出改善。在生产制程的管控上，要求减少各种异常事件(excursion)，如设备故障、操作失误等，快速的问题诊断(trouble shooting)，降低关键制程的变异(variation)等。

　　跟晶体管CD尺寸密切相关的制造工艺是光刻工艺，在摩尔定律时期，科学家一直在寻求全彩LED显示屏波长更短的光源以达到更高的光刻分辨率。然而在EUV的技术成熟之前，光刻技术所使用的波长长时间停留在193 nm的节点，最新的193 nm浸润式技术在制造80 nm pitch的图形上已经比较困难。为了突破这种挑战，科学家们发明了光学邻近效应修正(OPC)及多重曝光技术。OPC使用较为广泛的一种技术是基于规则的修正，指的是建立一套与图形周边情况有关的规则，使得全彩LED显示屏在这些规则满足的情况下，按照规则定义的要求对图形进行修正，规则的制定依赖于对一组定标图形的精确测定。如图2所示，当100 nm的线条的某一边界距离下一个图形边界的距离大于或等于500 nm时，此边界往外移动10 nm。

以上问题也是将来后摩尔时代全彩LED显示屏半导体行业的挑战。在摩尔定律时代芯片的密度、运行速度、功耗、单个晶体管价格的变化趋势，可以发现在摩尔定律时代后期，芯片速度和功耗上的改善速度在逐渐放缓，晶体管的价格基本没有下降甚至会增加。从这点看，摩尔定律会在2015～2025年之间走向终结。